Кт819 в металлическом корпусе

Обновлено: 21.09.2024

Технические характеристики транзистора КТ819 зависят от классификации, которая указывается в конце маркировки на корпусе устройства буквами: А…Г, АМ…ГМ. Вся серия относятся к кремниевым, среднечастотным n-p-n биполярным устройствам высокой мощности – от 60 до 100 Вт (в металлизированном ТО-3). Производится по меза-эпитаксиально-планарной технологии. Известна с советских времен благодаря массовому применению в выходных каскадах УНЧ, схемах стабилизации блоков питания, ключевых схемах.

Распиновка

Цоколевка КТ819 зависит от его назначения. В советские времена устройство выпускали в двух вариантах корпусов: пластиковом КТ-28 (аналог зарубежного ТО-220) и металлостеклянном КТ-9(ТО-3). В настоящее время такое разделение продолжается и встречается в некоторых технических описаниях. Рассмотрим поподробней расположение выводов у указанного транзистора в пластмассовой упаковке КТ-28, cлева на право у него: эмиттер (Э), коллектор (К), база (Б).

Подобные устройства, особенно в металлическом корпусе, встречаются на российском рынке с каждым годом все реже. Это происходит из-за практически полного сокращения их производства в нашей стране и наличия в большом количестве недорогих аналогов от зарубежных компаний. Вот так выглядит КТ819 в корпусе КТ-9.

Если смотреть на него снизу, то база расположена слева, эмиттер справа. Металлическая подложка-корпус — это коллектор. Рассмотрим другие данные этой серии полупроводниковых триодов.

Технические характеристики

Семейство кремниевых биполярных транзисторов КТ819, в зависимости от модификации, могут иметь следующие предельные эксплуатационные характеристики:

напряжение между: коллектором и базой от 25 до 60 В; коллектором и эмиттером (при R_БЭ ≤ 100 Ом) от 40 до 100 В; базой и эмиттером – 5 В;
постоянный ток на коллекторе от 10 до 15 А; проходящий через базу – 3 А;
импульсный ток (при t_и ≤ 10 мс, Q ≥ 100): коллектора от 15 до 20 А; базы– 5 А;
максимальная рассеиваемая мощность (при Т_К ≤ 25 o C) с теплоотводом от 60 до 100 Вт и без него от 1,5 до 3 Вт;
температура p-n перехода от +125 до +150 o C;
диапазон рабочих температур от -45 до +150 o C;

Основные параметры представлены в документации от производителя. Значения приводятся с учетом температуры окружающей среды не более +25 o C. Рассмотрим их подробнее, в зависимости от классификации устройств.

В связи с тем, что транзистор устарел, современные производители указывают в его техописании только минимальный набор параметров. Более подробную информацию по серии можно найти в старой версии даташит. Там данные приведены вместе с графиками передаточных характеристик, зависимостями статического коэффициента усиления от тока эмиттера и др.

Маркировка

Изучая параметры КТ819, стоит знать и другую маркировку этой серии транзисторов. Выполняя условия отраслевого стандарта ОСТ 11.336.919-81 различные отечественные производители обозначали его так — 2Т819. Первые символы «2T» указывают на кремневые биполярные транзисторы. В старых технических описаниях данные об этих устройствах приводят вместе с рассматриваемыми в этой статье.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для него будет транзистор КТ818 с p-n-p структурой.

Аналоги

Почти полные аналоги КТ819 (в корпусе ТО-220) будут следующие зарубежные транзисторы: BD243, BD243A, BD243B, BD243C. Отечественной замены в таком исполнении нет. Зато в металлостеклянном ТО-3, похожих по своим параметрам устройств достаточно много: КТ834, КТ841, КТ844, КТ847, КТ729А. Ниже представлен их более подробный перечень.

Производители

Транзисторы серии КТ819 продолжают выпускать небольшими партиями на российском заводе «Кремний» г.Брянск и белорусском предприятии «Интеграл» г. Минск. С каждым годом их производство сокращается из-за низкого спроса и появления на рынке более новых и качественных устройств.

Транзистор КТ819Г (ГМ)

Транзистор КТ819Г согласно техническим характеристикам — это силовое биполярное низкочастотное устройство c n-p-n-структурой. Является самым мощным полупроводниковый кремниевый триодом в своей серии. Был разработан еще в советское время, специально для применения в схемах усиления, преимущественно в выходных каскадах. Например, в небезызвестных усилителях тех лет: «Одиссей-У-010», «Вега-10У-120С» и др. Также он повсеместно использовался в разнообразных источниках питания и стабилизаторах напряжения.

Более полную информацию о всей серии этих транзисторов можно прочитать в статье про КТ819.

У пластмассовых КТ-28, ТО-220 и новых ТО-218 гибкие выводы имеют следующее расположение (слева на право) – Э.К.Б. Средний контакт «К» в подобных упаковках всегда имеет физическое соединение с корпусом.

Более мощный КТ819ГМ в металлостеклянной упаковке КТ-9 (ТО-3) отличается от своих пластмассовых «собратьев» не только внешним видом, но и другими параметрами, которые будут рассмотрены далее. Он имеет дополнительную букву «М» в конце маркировки. Вместо трех «ног» у него всего две, со стеклянными изоляторами: база (Б) и эмиттер (Э). Коллекторным выводом (К) служит весь корпус.

КТ819Г(ГМ) самые мощные транзисторы в серии. У них наибольшая, по сравнению с другими, максимальная мощность рассеивания до 60 Вт (до 100 Вт) и величина пропускаемого напряжения (до 100 В). Вместе с тем самый низкий коэффициент усиления по току (H_21Э) до 12.

Максимальные параметры

Приведем предельные эксплуатационные параметры КТ819Г подробней (в скобках данные для КТ819ГМ, если значения не совпадают):

постоянное напряжение между: К-Б до 60В (до 100В); К-Б до 5В;
коллекторный ток: до 10А (до 15А); импульсный до 15А (до 20А);
базовый ток: до 3А; импульсный до 5А;
мощность рассеиваемая на коллекторе: до 100Вт (с радиатором); до 2Вт (без теплоотвода);
температуры: кристалла до +125 o C; окружающей среды -45 до +100 o C.

Существуют обновленные версии транзистора с маркировкой КТ819Г1. Они идентичны по своим параметрам с КТ819ГМ, поэтому в последних даташит даже указываются в одной строке. Вместе с тем группа «Г1» имеет новый корпус ТО-218 и более высокую допустимую температуру p-n-перехода (до +100 o C).

Как видно из представленных данных, максимальная рассеваемая мощность P_К устройства заметно снижается если не использовать радиатор. Так, для КТ819Г при температуре окружающей среды более +25 °C она уменьшается на 0.6 Вт/°С (1 Вт/°С) с теплоотводом и на 0,015 Вт/°С (0,02 Вт/°С) без него.

Электрические параметры

Как известно, предельно допустимые значения не стоит превышать, в таких случаях с большой вероятностью выйдет из строя. Поэтому, в техописаниях кроме них приведены номинальные величины при которых допускается нормальная работа устройства. Они указываются в разделе – электрических характеристик.

Приведем значения электрических параметров КТ819Г(ГМ,Г1). Они представлены в даташит с учётом температуры вокруг изделия не более +25 o C. В графе «режимы измерения» указаны условия, при которых они были получены.

Комплементарной парой является отечественный транзистор c p-n-p-структурой КТ818Г(ГМ).

Чаще всего аналог КТ819Г ищут из-за выхода их из строя, в выходных каскадах старых советских усилителей, в которых он работает вместе с КТ818Г. Иногда такое происходит сразу в нескольких каналах. Обычно безуспешно перебрав большое количество таких транзисторов в поисках равного по коэффициенту усиления H_21Э, останавливаются на импортных устройствах (в скобках комплементарные пары): MJ15023(MJ15022), 2SC5200 (2SA1943), TIP41(TIP42). В остальных случаях замену, в зависимости от схемы и решаемых задач, можно подобрать из любых похожих по характеристикам. Например, из зарубежных: TIP41C, 2N3055, 2N6292, BD711, MJ3001, BD243. Из отечественных: КТ834, КТ841, КТ847, КТ729А.

Основным российским производителем транзистора КТ819Г, на протяжении всех постсоветских лет, остается АО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ» г. Брянск. Конкуренцию ему составляет продукция ОАО «ИНТЕГРАЛ», г.Минск Республика Беларусь. Кликнув по названию компании Вы можете посмотреть и скачать её datasheet.

Транзисторы КТ819

Т ранзисторы КТ819 - кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры - n-p-n.
Применяются в схемах усилителей мощности, преобразователях напряжения, стабилизаторах напряжения, приводах двигателей постоянного тока. У транзисторов КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г корпус пластиковый темно-серого цвета.
У транзисторов 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В, КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ корпус металлический(ТО-3). Маркировка буквенно - цифровая, вывод коллектора - посередине, базы - слева, эмиттер справа.

Наиболее важные параметры.

Граничная частота передачи тока - 3 МГц.

Коэффициент передачи тока У транзисторов КТ819Б, КТ819БМ, 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В, 2Т819А2, 2Т819Б2, 2Т819Б2 - от 20 .
У транзисторов КТ819А, КТ819АМ, КТ819В - от 15 .
У транзисторов КТ819Г, КТ819ГМ, - от 12 .

Максимальное напряжение коллектор - эмиттер. У транзисторов КТ819А, КТ819АМ - 25 в.
У транзисторов КТ819Б, КТ819БМ, КТ819В, 2Т819В2 - 40 в.
У транзисторов КТ819В, КТ819ВМ, КТ819Б, КТ819Б2 - 60 в.
У транзисторов КТ819Г, КТ819ГМ, 2Т819А, 2Т819А2 - 80 в.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 5 А и базовом 0,5А:
У транзисторов 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В - 1 в.
У транзисторов КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г,КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ - 2 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 5 А и базовом 0,5А:
У транзисторов 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В - 1,5 в.
У транзисторов КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г,КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ - 3 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный).
Транзисторы КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г - 10 А.
Транзисторы КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ, 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В, 2Т819А2, 2Т819Б2, 2Т819Б2 - 15 А.

Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 40в и температуре окружающей среды от -60 до +25 по Цельсию, у транзисторов КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г,КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ - не более 1 мА.

Рассеиваемая мощность коллектора(на радиаторе).

Транзисторы КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г - 60 вт
Транзисторы КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ, 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В - 100 вт.
Транзисторы 2Т819А2, 2Т819Б2, 2Т819В2 - 40 вт.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ819

КТ819А - 2N6288
КТ819Б - 2N5490
КТ819В - 2N5494
КТ819Г - 2N5496
КТ819АМ - BDW21
КТ819БМ - 2N6253
КТ819ВМ - 2N6471
КТ819ГМ - 2N3055

Пример применения транзисторов КТ819 в оконечном каскаде усилителя звуковой частоты.

Транзисторы VT1,VT2 - КТ3102,VT3 - КТ817,VT4 - КТ816. VT5,VT6 - КТ819АМ. Радиаторы для КТ819АМ - с поверхностью не менее 250 кв.см., для КТ816, КТ817 - от 15. Резисторы R6, R7 - проволочные, мощностью не менее 10 Вт. При указанном напряжении питания, такой усилитель может развивать мощность до 50 Вт, на нагрузку (динамики) общим сопротивлением 2 Ома.

Транзисторы комплементарной пары VT3, VT4 и пара стоящих на выходе VT5, VT6 должны иметь как можно меньший разброс коэффициентов усиления(внутри пары). В особенности, это касается выходных транзисторов.
Это является проблемой, поскольку КТ819 могут иметь очень большой разброс по этому параметру, даже в одной партии.

Транзисторы КТ805

Транзисторы КТ805 - кремниевые, усилительные мощные среднечастотные, структуры n-p-n.
Применяются в усилительных и генераторных схемах. Корпус металло-пластиковый или металлический(ТО-3) Цоколевка КТ805 - на рисунке ниже.

Коэффициент передачи тока
от 15 и выше.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер - 60 в, импульсное - 160 в - у КТ805А, КТ805АМ.
135 в - у КТ805Б, КТ805БМ, КТ805ВМ.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 5 А и базовом 0,5А:
У транзисторов КТ805А, КТ805АМ - не более 2,5 в.
У транзисторов КТ805Б, КТ805БМ - 5 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 5 А и базовом 0,5А:
У транзисторов КТ805А, КТ805АМ - не более 2,5 в.
У транзисторов КТ805Б, КТ805БМ - 5 в.

Максимальный ток коллектора. - 5 А.

Обратный импульсный ток коллектора при сопротивлении база-эмиттер 10Ом и температуре окружающей среды от +25 до +100 по Цельсию, у транзисторов КТ805А, КТ805АМ - - не более 60 мА, при напряжении колектор-эмиттер 160в. У транзисторов КТ805Б, КТ805БМ - - не более 70 мА, при напряжении колектор-эмиттер 135в.

Обратный ток эмиттера при напряжении база-эмиттер 5в не более - 100 мА.

Рассеиваемая мощность коллектора(с теплоотводом). - 30 Вт.

Граничная частота передачи тока - 20 МГц.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ805

КТ805А - BDY60
КТ805АМ - 2SC2562, 2SC3422
КТ805Б - 2N3054, 2N3766

Транзисторы КТ805 и качер Бровина.

Качер Бровина - черезвычайно популярное устройство, представляющее из себя фактически, настольный трансформатор Тесла - источник высокого напряжения. Схема самого генератора предельно проста - он очень напоминает обычный блокинг-генератор на одном транзисторе, хотя как утверждают многие, им вовсе не является.

В качере(как в общем-то и в блокинг-генераторе) теоретически, можно использовать любые транзисторы и радиолампы. Однако, практически очень неплохо себя зарекомендовали именно транзисторы КТ805, в частости - КТ805АМ.

В самостоятельной сборке качера самый серьезный момент - намотка вторичной обмотки(L2). Как правило она содержит в себе от 800 до 1200 витков. Намотка производится виток, к витку проводом диаметром 0,1 - 0,25 мм на диэлектрическое основание, например - пластиковую трубку. Соответствено, габариты полученного трансформатора (длина) напрямую зависят от толщины используемого провода. Диаметр каркаса при этом некритичен - может быть от 15мм, но при его увеличении эффективность качера должна возрастать (как и ток потребления).

После намотки витки покрываются лаком(ЦАПОН).
К неподключенному концу катушки можно подсоединить иглу - это даст возможность наблюдать "стример" - коронообразное свечение, которое возникнет на ее кончике, во время работы устройства. Можно обойтись и без иглы - стример точно так же будет появляться на конце намоточного провода, без затей отогнутого к верху.

Вторичная обмотка представляет из себя бескаркасный четырехвитковой соленоид намотаный проводом диаметром(не сечением!) от 1,5 до 3 мм. Длина этой катушки может составлять от 7-8 до 25-30 см, а диаметр зависит от расстояния между ее витками и поверхностью катушки L2. Оно должно составлять 1 - 2 см. Направление витков обеих катушек должно совпадать обязательно.

Резисторы R1 и R2 можно взять любого типа с мощностью рассеивания не менее 0,5 Вт. Конденсатор C1 так же любого типа от 0,1 до 0,5 мФ на напряжение от 160 в. При работе от нестабилизированного источника питания необходимо подсоединить параллельно C1 еще один, сглаживающий конденсатор 1000 - 2000 мФ на 50 в.
Транзистор обязательно устанавливается на радиатор - чем больше, тем лучше.

Источник питания для качера должен быть рассчитан на работу при токе до 3 А (с запасом), с напряжением от 12 вольт, а желательно - выше. Будет гораздо удобнее, если он будет регулируемым по напряжению.
Например, в собранном мной образце качера, при диаметре вторичной катушки 3 см (длина - 22см), а первичной - 6см (длина - 10 см) стример возникал при напряжении питания 11 в, а наиболее красочно проявлялся при 30 в. Причем, обычные эффекты, вроде зажигания светодиодных и газоразрядных ламп на расстоянии, возникали уже с начиная с уровня напряжения - 8 в.

В качестве источника питания был использован обычный ЛАТР + диодный мост + сглаживающий электролитический конденсатор 2000 мФ на 50 в. Больше 30 вольт я не давал, ток при этом не превышал значения в 1 А, что более чем приемлимо для таких транзисторов как КТ805, при наличии приличного радиатора.

При попытке заменить(из чистого интереса) КТ805 на более брутальный КТ8102, обнаружилось что режимы работы устройства значительно поменялись. Заметно упал рабочий ток. Он составил всего - от 100 до 250 мА.
Но стример стал загораться только при достижения предела напряжения 24 в, при напряжении 60 в выглядя гораздо менее эффектно, нежели с КТ805 при 30.

Использование каких - либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт "Электрика это просто".

Транзисторы КТ818 и КТ825

Т ранзисторы КТ818 - кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры - p-n-p.
Транзисторы 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В, 2Т818АМ, 2Т818БМ, 2Т818ВМ, 2Т818ГМ выполнены в металло-стеклянном корпусе (TO-3).
Транзисторы КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г - в пластиковом (TO-220).
Маркировка буквенно - цифровая.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока У транзисторов КТ818Г - не ниже 12.
У транзисторов КТ818А, КТ818В - не ниже 15.
У транзисторов КТ818Б, КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В, 2Т818А2, 2Т818Б2, 2Т818В2 - не ниже 20.

Максимальное напряжение коллектор - эмиттер. У транзисторов КТ818А - 25 в.
У транзисторов КТ818Б, КТ818БМ, 2Т818В - 40 в.
У транзисторов КТ818В, КТ818ВМ, 2Т818Б - 60 в.
У транзисторов КТ818Г, КТ818ГМ, 2Т818А, 2Т818А2 - 80 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный). У транзисторов КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г - 15 А.
У транзисторов КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ, 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В, 2Т818А2, 2Т818Б2, 2Т818В2 - 20 А.

Напряжение насыщения база - эмиттер при токе коллектора 5 А и базовом токе 0,5 А:
У транзисторов 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В - не более 1,5 в.
У транзисторов КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г,КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ - не более 3 в.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 5 А и базовом 0,5А:
У транзисторов 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В - 1 в.
У транзисторов КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г, КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ - 2 в.

Обратный ток эмиттера при напряжении база-эмиттер 2в не более - 100 мкА.

Обратный ток коллектора при напряжении коллектор - база 40 в:
У транзисторов КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г,КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ при температуре от -40 градусов Цельсия до +24 - 1 мА, при +100 - 10 мА.

Рассеиваемая мощность коллектора:
У транзисторов КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г - 60 Вт на радиаторе.
У транзисторов КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ, 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В - 100 Вт на радиаторе.
У транзисторов 2Т818А2, 2Т818Б2, 2Т818В2 - 40 Вт на радиаторе.
У транзисторов КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г - 1,5 Вт без радиатора.
У транзисторов КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ - 2 Вт без радиатора.
У транзисторов 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В - 3 Вт без радиатора.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ818

КТ818А - 2N5193.
КТ818Б - 2N6132.
КТ818БМ - 2N6469.
КТ818В - 2N5194.
КТ818ВМ - 2N6246.
КТ818ГM - 2N6247.
2Т818А - BD292.
2Т818Б - BD202.
2Т818В - BD177.

Несложная схема мощного усилителя с КТ818 и КТ819 в выходном каскаде.

Транзисторы VT1,VT2 - КТ3102А, КТ3102Б, КТ315В тоже подойдут.
Транзисторы VT3,VT5 - КТ814А(КТ816А подойдут тоже),VT4 - КТ815А или КТ817А, транзистор VT7 - КТ818, транзистор VT6 - КТ819. Конденсаторы на напряжение 50в. Резисторы R7 - R8 проволочные(нихром), остальные любого типа, мощностью 0,25 Вт. Источник питания двухполярный, желательно стабилизированный расчитанный на работу при макимальных токах не менее 5 А.

Настройка сводится к подбору величины сопротивления резисторов R3 и R6. R3 задает режим работы входного каскада(диф.усилитель), R6 - режим работы выходного каскада на составных транзисторах, ток покоя должен составлять менее 60 mA.
Максимальный уровень выходного сигнала(амплитуда 12 в) без заметных искажений, при активной нагрузке 4 Ома, достигается при напряжении на входе 1в. Т. е. - коэффициент усиления по напряжению всего лишь - 12. Но ток в нагрузке при этом может достигать 3А. Таким образом, можно сказать, что моментальная пиковая мощность достигает 36 вт при активной нагруке 4 Ома. При активной нагрузке 2 Ома амплитуда выходного каскада снижается до 10 в, но ток вырастает до 5А. В итоге, пиковая мощность может достигать 50 вт.

Можно поробовать увеличить мощность, повышая напряжение питания. Это потребует изменения величины сопротивления резисторов R3 и R6 в сторону увеличения номинала. При повышении напряжения питания до 18в при нагрузке 4 Ома, можно получить пиковую мощность свыше 50вт и действующую - около 30.

Транзисторы КТ825

Транзисторы КТ825 - кремниевые, составные(схема Дарлингтона), усилительные мощные низкочастотные, структуры p-n-p.
Применяются в усилительных и генераторных схемах. Цоколевка КТ825 и разновидности корпусов такие же как и у КТ818.

КТ825 - можно заменить эквивалентной схемой на двух транзисторах. Обычно, для этой цели используются КТ818 и КТ814. Сама схема выглядит вот таким образом.

Коэффициент передачи тока - У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е - 750.
У транзисторов 2Т825А, 2Т825А2 - от 500 , до 18000 .
У транзисторов 2Т825Б, 2Т825В2, 2Т825Б2 - от 750 , до 18000 .

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
У транзисторов КТ825Д, 2Т825В, 2Т825В2 - 45 в.
У транзисторов КТ825Е - 25 в.
У транзисторов 2Т825Б, 2Т825Б2 - 60 в.
У транзисторов КТ825Г - 70 в.
У транзисторов 2Т825А, 2Т825А2 - 45 в.

Максимальный ток коллектора.
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е, 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В - 20 А.
У транзисторов 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 - 15 А.

Рассеиваемая мощность коллектора.(на радиаторе)
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е - 125 Вт.
У транзисторов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В - 160 Вт.
У транзисторов 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 - 30 Вт.
Без радиатора - 3 Вт.

Напряжение насыщения база - эмиттер при токе коллектора 10 А и базовом токе 40 мА
- 3 в, при токе коллектора 20 А и базовом токе 200 мА - 4в

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в на частоте 100 КГц - не более 600пФ.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 10А, базы 40мА - не более 2в.

Максимальная температура перехода:
У транзисторов КТ825А, КТ825Б, КТ825В - +175 Цельсия.
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е - +150 Цельсия.

Граничная частота передачи тока - 4 МГц.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ825

КТ825Г - 2N6051.
КТ825Д - 2N6050.
КТ825Е - BDX64.
КТ825ГM - 2N6052G.
2Т825В -2N6285.
2Т825Б - 2N6286.
2Т825А - TIP147, TIP142

Читайте также: