Транзистор в металлическом корпусе
Обновлено: 18.05.2024
Как и все электрические и электронные компоненты, транзисторы имеют ограничения по напряжению и току, при которых они могут работать без повреждений. Поскольку транзисторы более сложны, чем некоторые другие компоненты, они, как правило, имеют больше видов параметров. Ниже приведено подробное описание некоторых типовых параметров транзисторов.
Рассеиваемая мощность: когда транзистор проводит ток между коллектором и эмиттером, между этими двумя выводами на нем также падает и напряжение. В любой момент времени мощность, рассеиваемая транзистором, равна произведению тока коллектора и напряжения коллектор-эмиттер. Как и резисторы, транзисторы рассчитаны на то, сколько ватт каждый из них может рассеивать спокойно, не получая при этом повреждений. Высокая температура – смертельный враг всех полупроводниковых приборов, а биполярные транзисторы, как правило, более подвержены термическому повреждению, чем большинство из них. Значения мощности всегда связаны с температурой окружающей среды. Когда транзисторы должны использоваться в более жарких условиях (>25°C), значения рассеиваемой ими мощности должны быть уменьшены, чтобы избежать сокращения срока службы.
Обратные напряжения: как и диоды, биполярные транзисторы рассчитаны на максимально допустимые напряжения обратного смещения на их PN переходах. Эти параметры включают в себя значения напряжений для перехода эмиттер-база VЭБ, для перехода коллектор-база VКБ, а также напряжение между коллектором и эмиттером VКЭ.
VЭБ, максимальное обратное напряжение между эмиттером и базой, для некоторых слаботочных транзисторов составляет примерно 7 В. Некоторые разработчики схем используют дискретные биполярные транзисторы в качестве стабилизировано на 7 В последовательно с токоограничивающим резистором. Транзисторные входы аналоговых интегральных микросхем также имеют параметр VЭБ, если превышение которого приведет к повреждению, если использование стабилитронов на входах недопустимо.
Параметр максимального напряжения коллектор-эмиттер VКЭ может считаться максимальным напряжением, которое транзистор может выдержать в режиме полной отсечки (ток базы равен нулю). Этот параметр имеет особое значение при использовании биполярного транзистора в качестве ключа. Типовое значение для слаботочного транзистора составляет от 60 до 80 В. Для силовых транзисторов этот параметр может составлять до 1000 В, например, у транзистора горизонтального отклонения в дисплее на электронно-лучевой трубке.
Ток коллектора: Максимальное значение тока коллектора IК, указываемое производителем в амперах. Типовые значения для слаботочных транзисторов составляют от 10 до 100 мА, для силовых транзисторов – десятки ампер. Имейте в виду, что это максимальное число предполагает состояние насыщения (минимальное падение напряжения между коллектором и эмиттером). Если транзистор не находится в режиме насыщения, и между коллектором и эмиттером падает существенное напряжение, то значение максимальной рассеиваемой мощности будет превышено до достижения максимального значения тока коллектора. Это просто нужно иметь в виду при разработке транзисторных схем!
Напряжения насыщения: В идеале транзистор в режиме насыщения действует как замкнутый ключ с контактами на коллекторе и эмиттере, при этом падение напряжения между коллектором и эмиттером равно нулю при максимальном токе коллектора. В реальности этого никогда не бывает. Производители указывают максимальное падение напряжения на транзисторе в режиме насыщения и между коллектором и эмиттером, и между базой и эмиттером (прямое падение напряжения на этом PN переходе). Напряжение коллектор-эмиттер в режиме насыщения, как правило, составляет 0,3 вольта или менее, но это значение, конечно, зависит от конкретного типа транзисторов. Низковольтные транзисторы (с низким VКЭ) показывают более низкие напряжения насыщения. Напряжение насыщения также снижается при увеличении тока базы.
Прямое падение напряжения база-эмиттер, VБЭ, совпадает с аналогичным параметром у диода, ≅ 0,7 В, что не должно удивлять.
Коэффициент бета: Отношение тока коллектора к току базы, β является основным параметром, характеризующим усилительную способность биполярного транзистора. При расчетах схем β обычно постоянной величиной, но, к сожалению, на практике это далеко не так. Таким образом, производители предоставляют набор показателей β (или "hfe") для определенного транзистора в широком диапазоне рабочих условий, обычно в виде максимальных/минимальных/типовых значений. Вы можете удивиться, увидев, насколько большие отклонения β можно ожидать при нормальных рабочих условия. В спецификации на один популярный слаботочный транзистор, 2N3903, указывается, что коэффициент β может быть в диапазоне от 15 до 150 в зависимости от величины тока коллектора. Как правило, β будет самым высоким при средних токах коллектора и уменьшается для очень низких и очень высоких токах коллектора. hfe – это усиление по переменному току малых сигналов; hFE – это усиление по переменному току больших сигналов или усиление по постоянному току.
Коэффициент альфа: Отношение тока коллектора к току эмиттера, α=IК/IЭ. α может быть получен из β, так как α=β/(β+1).
Биполярные транзисторы поставляются в самых разных физических корпусах. Тип корпуса в первую очередь зависит от требуемой рассеиваемой мощности транзистора, так же как и для резисторов: чем больше максимальная рассеиваемая мощность, тем устройство должно быть больше по размеру, чтобы оставаться холодным. На рисунке ниже показано несколько стандартных типов корпусов для трехвыводных полупроводниковых устройств, любой из которых может использоваться для размещения биполярного транзистора. Существует много других полупроводниковых устройств, отличных от биполярных транзисторов, которые тоже имеют три вывода. Следует отметить, что выводы пластиковых транзисторов могут различаться при одном типе корпуса, например, TO-92 на рисунке ниже. Без определения маркировки устройства или проведения электрических тестов невозможно определить назначения выводов у трехвыводного полупроводникового устройства.
Корпуса транзисторов, размеры в мм
Небольшие пластиковые транзисторные корпуса, такие как TO-92, могут рассеивать единицы сотен милливатт. Металлические корпуса, TO-18 и TO-39, могут рассеивать больше мощности, несколько сотен милливатт. Пластиковые корпуса мощных транзисторов, такие как TO-220 и TO-247, рассеивают более 100 ватт, приближаясь к рассеиванию полностью металлического TO-3. Параметры рассеивания, приведенные на рисунке выше, являются максимальными, когда-либо виденными автором у высокомощных устройств. Большинство силовых транзисторов рассчитано на половину или меньше указанной мощности. Для оценки фактических значений смотрите технические описания на конкретные устройства. Полупроводниковый кристалл в пластиковых корпусах TO-220 и TO-247 установлен на теплопроводной металлической пластине, которая переносит тепло от задней части корпуса к металлическому радиатору (не показан). Перед установкой транзистора на радиатор на металл наносится тонкий слой теплопроводящей пасты. Поскольку металлические пластины в корпусах TO-220 и TO-247 и корпус TO-3 соединены с коллектором, иногда необходимо электрически изолировать их от заземленного радиатора с помощью вставки из слюды или полимерной шайбы. Параметры в технических описаниях для мощных корпусов действительны только при установке на радиатор. Без радиатора TO-220 в свободном пространстве безопасно рассеивает примерно 1 ватт.
Максимальные значения рассеиваемой мощности из технических описаний на практике достичь трудно. Значение максимальной рассеиваемой мощности основано том, что радиатор поддерживает температуру корпуса транзистора не более, чем 25°C. Но при воздушном охлаждении радиатора это сложно. Допустимая рассеиваемая мощность уменьшается при повышении температуры. Многие технические описания предоставляют графики зависимости рассеиваемой мощности от температуры.
Маркировка транзисторов
Практические каждая принципиальная электрическая схема подразумевает наличие транзисторов, которые являются своего рода усилительным ключом. Основа любых транзисторов – кристалл, выполненный из кремния или германия.
По разновидности данный прибор делится на однополярный транзистор (полевой) и двухполярный транзистор (биполярный). Что касается проводимости, устройство также делится на два типа: прямой и обратный.
Довольно часто новички радиолюбители сталкиваются с проблемой – как разобраться с кодировками.
Как правило, производители используют один из двух распространенных типов шифровки:
- маркировка транзисторов цветом;
- маркировка транзисторов кодом.
Как таковых стандартов нет ни для первого, ни для второго типа маркировки. Каждый завод-производитель, которое занимается производством и выпуском данного электронного компонента, использует собственные принципы обозначений. Встречаются такие элементы, принадлежащие к одной группе, которые были выпущены на совершенно разных заводах. Соответственно, маркировка будет отличаться.
Однако, бывает наоборот: транзисторы разные, а маркировка совпадает. В такой ситуации помогут дополнительные отличительные характеристики.
Маркировка транзисторов в корпусе КТ-26
Этот тип корпуса очень популярен. Корпус представляет собой скошенный с одной стороны цилиндр. Для транзисторов в таком корпусе применяется цветовая маркировка транзисторов в корпусе КТ-26, т.е маркировка транзисторов при помощи цветных точек , кодовая маркировка транзисторов в корпусе КТ-26 а также смешенная при которой используется как цифры так и цвета.
Смешенная маркировка транзисторов в корпусе КТ-26
При такой маркировке на верхнюю сторону транзистора наносят цветную точку. По это точку можно узнать группу транзистора. А на фронтальную сторону транзистора ставится либо кодовый символ либо цветная точка, которая соответствует типу прибора. Также на эту сторону иногда ставиться год и месяц выпуска.
Группа транзисторов маркируется следующим образом:
- А -темно-красная точка;
- Б – желтая;
- В – темно-зеленая;
- Г – голуба;
- Д – синяя;
- Е – белая;
- Ж – темно-коричневая;
- И – серебристая;
- К – оранжевая;
- Л – светло-табачная;
- М – серая.
Тип транзистора обозначается символом (геометрической фигурой): треугольником, квадратиком и. т.д. Типы транзисторов представлены на рисунке ниже.
Маркировка года и месяца изготовления электронных компонентов
Согласно ГОСТ 25486-82, для того, чтобы обозначить месяц и год изготовления транзистора и других электронных компонентов, используются буквы и цифры: первое значение – год, второе значение – месяц. Что касается приборов, изготовленных за рубежом, для обозначения даты выпуска применяется кодировка из четырех цифр, где первые две – это год, следующие – номер модели.
Каждому году соответствует своя буква:
| Год | Код |
|---|---|
| 1986 | U |
| 1987 | V |
| 1988 | W |
| 1989 | X |
| 1990 | A |
| 1991 | B |
| 1992 | C |
| 1993 | D |
| 1994 | E |
| 1995 | F |
| 1996 | H |
| 1997 | I |
| 1998 | K |
| 1999 | L |
| 2000 | M |
| 2001 | N |
| 2002 | P |
| 2003 | R |
| 2004 | S |
| 2005 | T |
| 2006 | U |
| 2007 | V |
| 2008 | W |
| 2009 | X |
| 2010 | A |
| 2011 | B |
| 2012 | C |
| 2013 | D |
| 2014 | E |
| 2015 | F |
| Месяц | Код |
|---|---|
| Январь | 1 |
| Февраль | 2 |
| Март | 3 |
| Апрель | 4 |
| Май | 5 |
| Июнь | 6 |
| Июль | 7 |
| Август | 8 |
| Сентябрь | 9 |
| Октябрь | O |
| Ноябрь | N |
| Декабрь | D |
Чтобы обозначить месяц выпуска, применяются не только цифры, но и некоторые буквы: месяцы с января по сентябрь полностью соответствуют цифрам, следующие – первым буквам названия месяца.
PRO-ELECTRON (система, разработанная в Европе)
Маркировка приборов у европейских производителей несколько отличается. Код, которым промаркирован иностранный транзистор – это комбинация символом:
- Символ под номер один указывает на материал, из которого изготовлен прибор: А – из германия, В – из кремния, С – из арсенида галлия, R – из сульфида кадмия;
- Второй символ сообщает о типе транзистора: С – маломощный прибор с низкой частотностью; D – мощный элемент с низкой частотностью; F – прибор маленькой мощность с высоким уровнем частотности; G – в одном корпусе присутствует одновременно два и более элемента; L – прибор с высокой мощностью и частотностью; S – маломощный прибор с функцией переключения; U – транзистор-переключатель высокой мощности;
- Третий символ означает номер серии продукта: изделия общего пользования маркируются цифрами от 100 до 999; в том случае, когда перед цифровым значением прописана буква, это говорит о том, что данная деталь изготовлена для использования в промышленности или специализированного пользования.
Более того, общая кодировка иногда дополнятся символом модификации. Определить ее может только сам производитель.
Американская система JEDEC
Заводы-производители, выпускающие транзисторы в Америке, при кодировке используют четыре символа:
- Цифра с количеством переходов: 1 – диод; 2 – транзистор;3 – тиристор; 4 – оптопара;
- Буква с обозначением группы;
- Третий символ означает номер серии (варьируется в пределах от 100 до 9999);
- Буква, которая соответствует модификации элемента.
Японская система JIS
Стандарты маркировки, выработанные в Японии представлены буквами и цифрами в количестве 5 штук:
- Цифра под номером 1 – тип полупроводникового транзистора: 0 – обозначение фотодиода или фототранзистора; 1 – обозначение диода; 2 – обозначение транзистора;
- Буквенный символ S проставляется на каждом выпущенном элементе;
- Третий по счету маркировочный элемент говорит о разновидности детали: А – PNP с высокой частотностью; В – PNP с низкой частотностью; С — NPN с высоким уровнем частотности; D — NPN с низким уровнем частотности; Н – однопереходной; J — транзистор полевого типа с N-каналом; К — транзистор полевого типа с P-каналом;
- Цифра под номер 4 – номер серии в диапазоне от 10 до 9999;
- Пятый символ маркировки обозначает модификацию. Иногда данный символ отсутствует.
Бывают ситуации, когда в кодировке присутствует 6 символ – это дополнительная литера N, M или S, которая отвечает за соответствие прибора определенным стандартам. Маркировка, разработанная в Японии, не предусматривает использование обозначений цветом.
SMD транзисторы
Данные детали маркируются только символами. Маркировка цветом не используется по той причине, что размер элемента слишком мал. Для них также не предусмотрено единых стандартов кодирования: все происходит на усмотрение завода-производителя. Как правило, код, состоящий из цифр и букв, может быть составлен из 3 символов. Примеры маркировки SMD транзисторов в корпусу SOT-23
Транзисторы биполярные
КТ897Б
Транзисторы КТ897Б кремниевые планарные структуры n-p-n составные, высоковольтные, переключательные.
Предназначены для применения в выходных каскадах электронного коммутатора в системах зажигания автомобилей, вторичных источниках питания и других импульсных схемах с индуктивной нагрузкой.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Масса транзистора не более 20,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
- приемка «1» - АДБК.432150.054ТУ.
Импортный аналог: 2N6058, 2N6283, BDX63, BDX65, BDX67, BDX85B, BDX87B, MJ3001, MJ4034.
КТ841Д
Транзисторы КТ841Д кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Масса транзистора не более 20,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ2» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
- приемка «1» - аА0.336.654ТУ.
Импортный аналог: 2SD418, 2SC2356, 2SC2139, BUX14.
КТ660Б
Транзисторы КТ660Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах, в цепях вычислительных машин, в генераторах электрических колебаний.
Корпус пластмассовой с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
На транзистор наносится условная цветная маркировка:
- КТ660А - одна синяя полоса,
- КТ660Б - две синие полосы.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Вид климатического исполнения: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
- приемка «1» аА0.336.669ТУ.
Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: 2SC21200.
КТ3143А
Транзисторы КТ3143А эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, малой мощности.
Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах радиоэлектронной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Минимальный срок сохраняемости не менее 10 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: BFR180W.
МП115
Транзисторы МП115 кремниевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума.
Предназначены для работы в импульсных схемах, стабилизаторах напряжения, усилителях постоянного тока и других радиотехнических и электронных устройствах общего назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия: аА0.336.000ТУ.
Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления.
КТ940А1
Транзисторы КТ940А1 кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для для использования в каскадах видеоусилителей телевизионных приемников, усилителях постоянного тока и других схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Вид климатического исполнения: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
- приемка «1» аА0. 336.246ТУ/04.
Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.
ГТ402И
Транзисторы ГТ402И германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в выходных каскадах усилителей низкой частоты.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 5,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
- приемка «1» - 3.336.008ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 10 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: AC117, AC128, AC138, AC139, AC142, ACY33, GC502.
КТ708А
Транзисторы КТ708А кремниевые мезапланарные структуры p-n-p составные переключательные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: 2SB678.
КТ343В
Транзисторы КТ343В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p высокочастотные импульсные.
Предназначены для применения в в логических схемах, токовых ключах, входных каскадах формирователей импульсов, каскадах стробирования, усилителей считывания.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-1-7 (TO-18).
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
- приемка «1» - 3.365.234ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: BSY40.
ГТ403В
Транзисторы ГТ403В германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в стеклометаллическом корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 4,0 г.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
- приемка «1» - СИ3.365.036ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 10 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: ASY77.
Основные технические характеристики транзистора ГТ403В:
• Структура: p-n-p
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт;
• fmax - Максимальная частота генерации: 0,008 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 20 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1250 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 50 мкА при 60 В;
• h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 20. 60 при 5В, 0,1 А;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется
2Т104В
Транзисторы 2Т104В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в усилителях радиовещательных приемников.
Используются для работы в электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускается в металлическом корпусе гибкими выводами и стеклянными изоляторами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 0,4 г.
Тип корпуса: КТЮ-2-2.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
- приемка «5» - ЖК3.365.178ТУ/Д1.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 25 лет с момента изготовления.
Зарубежный аналог: 2N1228.
2T3187A9
Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный n-p-n СВЧ транзистор.
Предназначен для использования в усилителях, генераторах, преобразователях частоты и другой радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Используются для работы в герметизированной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в миниатюрном пластмассовом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату.
Тип прибора указывается в этикетке.
Тип корпуса: КТ-46 (SOT-23).
Масса транзистора не более 0,01 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
- приемка «5» - АЕЯР.432150.117ТУ.
Зарубежные аналоги: BFR92, BFR92A, BFR93.
Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
- 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
- 50000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
2Т9145Б91
Транзисторы 2Т9145Б91 кремниевые эпитаксиально-планарные в металлокерамическом корпусе для поверхностного монтажа.
Область применения: ключевые схемы, импульсные модуляторы, преобразователи, линейные стабилизаторы напряжения, узлы и блоки аппаратуры специального назначения.
Тип корпуса: 4601.3-1.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
- приемка «5» - АЕЯР.432140.598ТУ.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
2Т9145А91
Транзисторы 2Т9145А91 кремниевые эпитаксиально-планарные в металлокерамическом корпусе для поверхностного монтажа.
Область применения: ключевые схемы, импульсные модуляторы, преобразователи, линейные стабилизаторы напряжения, узлы и блоки аппаратуры специального назначения.
Тип корпуса: 4601.3-1.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
- приемка «5» - АЕЯР.432140.598ТУ.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
2Т888В
Транзисторы 2Т888В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в преобразователях, модуляторах, стабилизаторах напряжения вторичных источников электропитания.
Используются для работы в электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами и стеклянными изоляторами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
- приемка «5» - аА0.339.782ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 25 лет с момента изготовления.
2Т841В9
Транзисторы 2Т841В9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.
Транзисторы выпускаются в металлокерамическом корпусе для поверхностного монтажа.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: КТ-94-3.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
- приемка «5» - АЕЯР.432140.516ТУ.
2Т841Б9
Транзисторы 2Т841Б9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.
Транзисторы выпускаются в металлокерамическом корпусе для поверхностного монтажа.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: КТ-94-3.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
- приемка «5» - АЕЯР.432140.516ТУ.
2Т841А9
Транзисторы 2Т841А9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.
Транзисторы выпускаются в металлокерамическом корпусе для поверхностного монтажа.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: КТ-94-3.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
- приемка «5» - АЕЯР.432140.516ТУ.
Читайте также: